| 1 | P–N bağlantı diyotunun fiziksel yapısını, IV karakteristiğini ve devre uygulamalarını açıklar. → Doğrultma, sınırlama gibi temel diyot devrelerini analiz eder. |
| 2 | BJT ve MOSFET gibi temel yarıiletken aygıtların çalışma prensiplerini açıklar. → Kesim, doyum, aktif bölgeler ve geçiş bölgelerinin fiziksel anlamlarını ifade eder. |
| 3 | Yarıiletken aygıtların matematiksel modellerini kullanarak devre analizleri yapar. |
| 4 | Küçük sinyal modelleri ve eşdeğer devre analizleriyle devre çözümü yapabilir. Yarıiletken üretim teknikleri hakkında temel bilgi edinir. → Fotolitografi, difüzyon, implantasyon gibi mikro-fabrikasyon süreçlerini tanımlar. |
| 5 | Elektron ve oyuk hareketlerini (drift ve difüzyon) kavrar ve matematiksel olarak modeller. → Akım yoğunluğu denklemleri, taşıyıcı ömrü ve difüzyon uzunluğu gibi kavramları hesaplar. |
| 6 | Doping ve taşıyıcı yoğunluğu kavramlarını kullanarak yarıiletken özelliklerini analiz eder. → N-tip ve P-tip yarıiletkenlerin taşıyıcı davranışlarını nicel olarak değerlendirebilir. |