| 1 | 1- Yarıiletkenlerin fiziksel özellikleri | 2- A. V. Ziel, “Solid State Physical Elect.”, Prentice Hall Inc. New Jersey, 7, 136- 144, 1968. |
| 2 | 3-Noktasal bozukluklar (vakum, boşluk, yabancı atom) | 3- M. Shuer, “Physics of Semiconductor Devices”, Prentice-Hall, Int. Inc., New Jersey, 2, 194-225, 1990. |
| 3 | 6-Üretim süreçleri ve malzeme | 3- M. Shuer, “Physics of Semiconductor Devices”, Prentice-Hall, Int. Inc., New Jersey, 2, 194-225, 1990. |
| 4 | 9- Taşınım özellikleri (elektron hareketliliği, delik hareketliliği) | 4- S. M. Sze, “VLSI Technology”, McGraw-Hill Book Co., 2, 70-82, 1988 |
| 5 | 12- X-ışını difraksiyonu (XRD) | 4- S. M. Sze, “VLSI Technology”, McGraw-Hill Book Co., 2, 70-82, 1988 |
| 6 | 2- Doping ve yarıiletken türleri (n-tipi, p-tipi) | 1- S. M. Sze, “Physics of Semiconductor Devices”, John Wiley and Sons Inc., 1981. |
| 7 | 4- Çizgisel bozukluklar (dislokasyonlar) | 1- S. M. Sze, “Physics of Semiconductor Devices”, John Wiley and Sons Inc., 1981. |
| 8 | 5- Yüzeysel ve hacimsel bozukluklar | 1- S. M. Sze, “Physics of Semiconductor Devices”, John Wiley and Sons Inc., 1981. |
| 9 | 7- işleme Isıl işlemler ve soğutma hızları | 1- S. M. Sze, “Physics of Semiconductor Devices”, John Wiley and Sons Inc., 1981. |
| 10 | 8- Çevresel etkiler (sıcaklık, basınç, radyasyon) | 2- A. V. Ziel, “Solid State Physical Elect.”, Prentice Hall Inc. New Jersey, 7, 136- 144, 1968. |
| 11 | 10- Bozuklukların iletim kaybı üzerindeki etkileri | 2- A. V. Ziel, “Solid State Physical Elect.”, Prentice Hall Inc. New Jersey, 7, 136- 144, 1968. |
| 12 | 11- Doping konsantrasyonunun etkisi | 2- A. V. Ziel, “Solid State Physical Elect.”, Prentice Hall Inc. New Jersey, 7, 136- 144, 1968. |
| 13 | 13- Tarama elektron mikroskobu (SEM) | 2- A. V. Ziel, “Solid State Physical Elect.”, Prentice Hall Inc. New Jersey, 7, 136- 144, 1968. |
| 14 | 14- Atomik kuvvet mikroskobu (AFM) | 2- A. V. Ziel, “Solid State Physical Elect.”, Prentice Hall Inc. New Jersey, 7, 136- 144, 1968. |